RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3242
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C10-4GXM 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link