RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
51
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2989
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link