RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2989
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link