RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
51
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2568
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link