RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
51
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
48
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2568
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link