RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2601
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link