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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2078
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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