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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
9.8
13.4
写入速度,GB/s
8.1
6.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2078
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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