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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
16.7
13.4
写入速度,GB/s
11.8
6.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2078
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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