RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2078
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link