RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
6.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
87
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2078
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link