RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
1764
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link