RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
6.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1952
1764
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link