RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
52
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2236
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link