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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
52
左右 2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.5
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
52
读取速度,GB/s
9.8
10.5
写入速度,GB/s
8.1
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2236
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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