RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3550
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link