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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.2
17.7
写入速度,GB/s
8.1
15.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3550
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
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