RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
49
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3417
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link