RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
49
Rund um -158% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3192
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link