RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2901
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link