Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Gesamtnote
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Unterschiede

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    42 left arrow 49
    Rund um -17% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.7 left arrow 10.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 8.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 12800
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 42
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.2 left arrow 15.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 12.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2465 left arrow 2352
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche