RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
49
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
42
Velocità di lettura, GB/s
10.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2352
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair VS2GB667D2 2GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link