Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Gesamtnote
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Gesamtnote
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Unterschiede

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    21 left arrow 52
    Rund um -148% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.5 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.0 left arrow 8.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    52 left arrow 21
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 18.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 14.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2179 left arrow 3263
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche