RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
52
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
3553
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link