RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
45
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2987
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link