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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Especificaciones
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2987
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
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