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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
52
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
1546
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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