RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
54
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2871
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link