RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
52
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2374
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link