RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
52
Rund um -49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
3045
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link