RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
52
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3045
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link