RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
52
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3045
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905316-152.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link