RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
52
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2544
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FR 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link