RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
52
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
2544
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link