RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
3938
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link