RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
17.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
3938
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Jinyu 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link