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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
52
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
3273
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
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Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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