RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
3273
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link