RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
65
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2041
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link