RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
65
Intorno 32% latenza inferiore
Motivi da considerare
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
65
Velocità di lettura, GB/s
11.2
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2041
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link