RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
44
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3324
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link