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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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规格
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
16.7
写入速度,GB/s
8.1
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3324
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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