RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3550
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link