Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 44

Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.6 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.4 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 18.6
Скорость записи, Гб/сек

8.1 15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 3550

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

модули RAM