RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3550
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link