RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
59
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2808
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link