RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2808
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link