RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3660
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link