RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
63
Autour de -125% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3660
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link