RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3649
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link