RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
52
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
4200
Около 6.1 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
25600
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2812
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link